1952年唐山交通大学冶金工程系毕业。 1958年在前苏联莫斯科有色金属学院获副博士学位。曾任中国科学院上海冶金研究所所长。现任该所研究员及上海华虹NEC电子有限公司副董事长。 1991年当选为中国科学院院士（学部委员）。

　　学术成就：

　　60年代负责国防重点任务甲种分离膜加工成形部分工作，对技术线路进行优选决策。 70年代以后独创用二氧化碳激光背面辐照获得了离子注入损伤的增强退火效应。研究了分子离子注入的损伤增强效应。用全离子注入技术研制成中国的第一块120门砷化镓门阵列电路，用反应离子束加工成中国第一批闪光全息光栅。研究SOI材料并制成CMOS/SOI电路。发展了离子束增强沉积技术并合成氮化硅、氮化钛薄膜。 90年代又在发展高科技产业方面作出了新的贡献。荣获国家发明一等奖，中国科学院自然科学科技进步奖12项。